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刘忠范/张艳锋课题组石墨烯控制生长研究工作取得重要进展

Jingyu Sun,† Teng Gao,† Xiuju Song,† Yanfei Zhao,§ Yuanwei Lin,† Huichao Wang,§ Donglin Ma,†Yubin Chen,† Wenfeng Xiang,∥ Jian Wang,§ Yanfeng Zhang,*,†,‡ and Zhongfan Liu*,† Direct Growth of High-Quality Graphene on High‑κ Dielectric SrTiO3 Substrates,J. Am. Chem. Soc. 2014, 136, 6574−6577

 

1.通过常规化学气相沉积法,成功地在高介电常数绝缘基底钛酸锶上直接制备了均匀且高结晶质量的单层石墨烯薄膜。通过控制各种反应条件,可以调控石墨烯薄膜的厚度。

 

2.在钛酸锶基底上直接生长的高质量石墨烯薄膜的可控制备对于其应用于石墨烯基高效节能晶体管,提高器件性能具有重要的意义。

 

3.直接生长的高质量单层石墨烯薄膜与钛酸锶基底有着独特的界面,值得进一步探索。

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